不同的激發(fā)頻率plasma的有不一樣的性能：
        傳統(tǒng)的plasma物理清洗有N2和AR清潔。AR自身是稀有氣體，等離子體的ar不與表面產(chǎn)生反應(yīng)，而是靠離子躍遷使表面清潔。典型的等離子體化學清洗工序是O2等離子體清洗。根據(jù)等離子體產(chǎn)生的氧自由基很活潑，易于與碳氫化合物產(chǎn)生反應(yīng)，產(chǎn)生CO2、CO和H2O等易揮發(fā)性，進而去除表面的污染物。

plasma態(tài)的密度和激發(fā)頻率有如下關(guān)系：
nc=1.2425×108v2
其中nc為等離子態(tài)密度（cm-3），v為激發(fā)頻率（Hz）。
       常用的plasma激發(fā)頻率有三種：激發(fā)頻率為40kHz的等離子體為超聲等離子體，13.56MHz的等離子體為射頻等離子體，2.45GHz的plasma為微波等離子體。
       不同plasma自偏壓不同。超聲等離子體的自偏壓為1萬V射頻等離子體的自偏壓約為250V微波等離子體的自偏壓很低，只有幾十伏，三種等離子體的機制也不同。超聲等離子體的反應(yīng)是物理反應(yīng)，射頻等離子體的反應(yīng)是物理反應(yīng)和化學反應(yīng)，微波等離子體的反應(yīng)是化學反應(yīng)。超聲等離子體清洗對清洗表面有很大影響，因此射頻等離子體清洗和微波等離子體清洗主要用于半導體的實際生產(chǎn)和應(yīng)用。