等離子體技術作為一種高(效)、可控的改性方法，可以有效改善環(huán)氧填料的電氣性能。采用大氣壓低溫等離子體技術對微米AlN填料進行氟化處理，控制不同的氟化時間，測試改性后的環(huán)氧樹脂試樣的微觀形貌、化學組分、電荷特性及沿面閃絡特性。
        等離子體氟化45min后，填料平均粒徑降(低)26%，填料氟化45min，氟元素占比達到38.55%。隨著氟化時間增加，環(huán)氧樹脂樣初始積聚電荷量降(低)，閃絡電壓呈現先增加后降(低)的規(guī)律，在對填料氟化45min時，閃絡電壓提(升)很明(顯)，較未氟化填料提(升了約39.9%，兩參數韋布爾分布表明閃絡電壓分散性也有所降(低)。等離子體填料處理提(升)環(huán)氧樹脂電氣性能的可行性，處理方法高(效)穩(wěn)定，性能提(升)明(顯)，為AlN及其他填料的改性提供了新的研究思路。

        對絕緣材料配方體系的改性，可以從源頭處提(升)絕緣子性能，因此大量的學者通過在絕緣材料中添加無機填料的方法，進一步提高材料電荷消散率，綜合改善聚合物的絕緣性能。AlN作為一種新型無機填料具有高導熱性、熱膨脹系數低等眾多優(yōu)點，受到國內外學者的廣泛關注，研究表明，添加微米AlN后的環(huán)氧樹脂不僅提高了導熱率，同時力學性能也有所(提)升。但相比傳統(tǒng)的Al2O3等填料，添加AlN后的環(huán)氧樹脂絕緣性能有所下降，限制了AlN在環(huán)氧樹脂配方填料中的應用。
        結合大氣壓低溫等離子體技術高(效)節(jié)能、設備簡單、操作簡便、控制性強、產量高等優(yōu)點，采用介質阻擋放電的形式，在大氣壓環(huán)境中對微米AlN填料進行等離子體氟化處理，通過掃描電鏡（Scanning Electron Microscope, SEM）、X射線光電子能譜分析（X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS）、傅里葉紅外光譜（Fourier Transform Infrared, FTIR）分析添加改性微米填料后的環(huán)氧樹脂的微觀特征，研究改性后試樣的電荷消散特性和閃絡特性，尋求微米AlN填料的改性方法。