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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

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增加功率低溫等離子體制樣表面的-C-O-C數(shù)量增加

增加功率低溫等離子體制樣表面的-C-O-C數(shù)量增加:
        隨著放電功率的增大,制樣表面的接觸角隨著放電功率的增大而增大。隨著處理時間的增加,氧化層厚度增加,含o官能團(tuán)的極性增強(qiáng)。低溫等離子體處理制樣后,制樣的親水隨低溫等離子體放電功率的增大而增加;低溫等離子體處理制樣后,制樣的親水隨著低溫等離子體放電功率的增大而減少。這是因?yàn)榈蜏氐入x子體處理技術(shù)等離子體處理制樣后,增加低溫等離子體放電功率會促進(jìn)低溫等離子體內(nèi)部的非活潑性粒子轉(zhuǎn)化為能量較高的易于參與反應(yīng)的活潑性粒子,有利于低溫等離子處理機(jī)與制樣表面的反應(yīng),使制樣表面的氧元素含量升高,極性含氧官能團(tuán)數(shù)量增多,親水升高。

低溫等離子體

       隨著功率的進(jìn)一步增加,活性粒子從電場中獲得的能量增高,粒子間相互碰撞的幾率就變大,導(dǎo)致粒子能量損失,使得活性粒子與制樣表面的分子作用的幅度減弱,從而導(dǎo)致潤濕性的相對下降,親水降低。這是因?yàn)殡S著處理時間的增加,制樣表面引人的極性含氧官能團(tuán)數(shù)量增多,表面極性增強(qiáng)。低溫等離子體處理后,制樣表面的-C-O-C數(shù)量增加,但隨著低溫等離子體處理時間的增加,表面的-C-O-C數(shù)量逐漸減少,這是因?yàn)樘幚頃r間增加后,氧化能力增強(qiáng),氧化層增厚,制樣表面引人的-C-O-C被進(jìn)一步氧化成-C=O造成的。

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