CRF電暈等離子處理機歷史發(fā)展進程：
       等離子體于1879年被發(fā)現(xiàn)，1928年被稱為“plasma”，是一個微觀系統(tǒng)，由大量相互作用但仍然處于非束縛狀態(tài)的帶電粒子組成，它們是除氣態(tài)、液態(tài)和固態(tài)以外的物質(zhì)第四態(tài)。利用電子溫度和離子溫度可以分別表示等離子體溫度，CRF電暈等離子處理機的電離率較低，離子溫度甚至可以與室溫相相差無幾，因此，日常生活中有很多場景可以運用低溫等離子體技術(shù)。在CRF電暈等離子處理機發(fā)生的過程中也可以產(chǎn)生大量的活性粒子，這些粒子比一般化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的反應(yīng)種類更多，活性更強，與材料表面接觸時反應(yīng)更簡單。與傳統(tǒng)式的物理和化學(xué)方式相較，等離子體表面處理低成本，不容易產(chǎn)生廢料，對環(huán)境無污染，因此低溫等離子體材料的表面改性處理非常合適，此外，電暈等離子處理機還可用于制備有機和無機納米顆粒，用于殺菌等領(lǐng)域。

       CRF電暈等離子處理機的產(chǎn)生，能夠通過紫外輻射、電磁場激發(fā)、高溫加熱以及應(yīng)用X射線等方式，其間，電磁場激發(fā)方式，也就是技術(shù)較為簡單的操縱氣體釋放方式，在實驗室研究和工業(yè)生產(chǎn)中使用得多。弧光放電是各種氣體放電產(chǎn)生的等離子體中的一種；電暈放電產(chǎn)生的低溫等離子體中難以產(chǎn)生足量的活性粒子；直流輝光放電需要低壓環(huán)境，因此需要使用價格昂貴的真空系統(tǒng)，從而難以實現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)；低頻交流放電等離子體的電極暴露在外，只對簡單污染產(chǎn)生的等離子體進行污染，因此這些氣體放電方式都不適合用于大型流水線工業(yè)。